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另辟蹊径!硅基半导体也可用于发光器件

时间:2021-03-10 08:01    作者:     点击:

电子

砷化镓半导体能够制作激光器,但是,产生光的物理进程在传统半导体资料硅中却不能很好地作业。在一项新研讨中,研讨人员发现根据硅锗(凯发k873.comSiGe)的半导体结构的电致发光,这种资料与硅器材的规范制作工艺兼容。

研讨于3月8日宣布在《AIP使用物理快报》上,标题为“THz intersubband electroluminescence from n-type Ge/SiGe quantum cascade structures editors-pick”(n型Ge/SiGe量子级联结构的THz子带间电致发光),通讯作者为苏黎世联邦理工学院物理系量子电子学研讨所的David Stark。

研讨采用了硅基量子级联激光器(QCL)理论,QCL完成光发射不是砷化镓半导体那样,经过电子-空穴复合穿过带隙,而是让电子穿过精细规划的重复堆叠的半导体结构,在这个进程中发射光子。

该团队规划并制作了一种由SiGe和纯锗(Ge)构成的单元结构的器材,这种器材的高度不到100纳米,重复频率为51次。斯塔克和他的搭档们从这些基本上是原子级精细制作的异质结构中检测到了电致发光——正如所猜测的那样,新式光的光谱特征与计算结果符合得很好。

译/前瞻经济学人APP资讯组

参考资料:

【1】https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0041327

【2】https://www.sciencedaily.com/releases/2021/03/210308152534.htm

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